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英特尔发布新一代Optane Memory M15，采用PCIe 3.0 x4接口，NVMe 1.1协议标准， 顺序读写速度分别达2000MB/s、900 MB/s， 随机写入速度分别达450k IOPS、220k IOPS，相较于ptane Memory M10采用的PCIe 3.0 x2接口速度更快，提供16GB, 32GB,64GB容量选择，预计将于2019年第三季度上市。
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慧荣科技与各家Flash原厂保持紧密合作，在96层TLC和QLC工程样品出来时就可 时间拿到，提早进行固件开发和调适。慧荣科技 的SM2262EN、SM2270 SSD控制芯片已支持96层TLC和QLC，还获得SK海力士 发布的96层QLC 1Tb NAND工程样品，正配合Flash原厂量产的脚步，在原厂供货之前，提前准备好相关的SSD主控与固件，帮助SSD品牌厂顺利导入新制程，快速生产出货。
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